內(nèi)置電源，AC100-120/200-240V。
提高可靠性，強(qiáng)化功能走向新一代。
由于生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)愈加復(fù)雜化、高速化，用戶的需求亦日趨多樣化。
為此，須提高C200HG/C200HE/C200HX的基本性能，提高處理速度等C200H-DA004操作手冊(cè)。
生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)要求產(chǎn)品上的高性能、高標(biāo)準(zhǔn)，不斷升級(jí)換代！
創(chuàng)對(duì)當(dāng)代制造業(yè)的嚴(yán)格要求激勵(lì)著歐姆龍，
始終以最新的產(chǎn)品及科學(xué)觀念投身生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)C200H-DA004控制方法/控制輸出接口：脈沖串輸出/線性驅(qū)動(dòng)器輸出的開放式回路控制。
控制軸數(shù)：1軸。
兩種類型可供選擇：集電極開路輸出和線性驅(qū)動(dòng)器。
因?yàn)榧姌O開路輸出和線性驅(qū)動(dòng)器均針對(duì)1、2和4軸型號(hào)，
所以可以手頭的應(yīng)用選擇最合適的型號(hào)。
多樣的功能（例如，示教、超馳、齒隙補(bǔ)償、區(qū)域、強(qiáng)制中斷以及加速/減速曲線）實(shí)現(xiàn)了簡(jiǎn)單易用的定位C200H-DA004操作手冊(cè)。
可以在1pps單元中實(shí)現(xiàn)從低速到高速（最高500kpps）的精細(xì)控制。
定位在從可編程控制器接收指令后2ms （最大速度）內(nèi)開始。
通過事先將操作模式寫入PCU存儲(chǔ)，可以從存儲(chǔ)完成定位。
使用完成代碼可以設(shè)置三個(gè)位置模式-中斷、自動(dòng)和繼續(xù)-以響應(yīng)范圍廣泛的一系列操作。CQM1-TC202熱電偶輸入，類型及溫度范圍：K、J、T、R、S、B。
通過傳送命令可以設(shè)定參數(shù)并從溫度控制單元讀取數(shù)據(jù)。
因此，只有一個(gè)字可以分配給溫控單元用于輸入和輸出，
實(shí)現(xiàn)高密度溫度控制，命令可以很容易地通TRANSFER I/O命令指定于4回路溫度控制或2回路溫度控制，
且2回路溫度控制可以提供一個(gè)加熱器熔斷報(bào)警功能C200H-DA004操作手冊(cè)。cmos-ram單元：內(nèi)置備用電池。
UM：7K字；
DM：1K字。
CPU有一個(gè)安裝存儲(chǔ)器盒的艙。
存儲(chǔ)器盒作為RAM和CPU內(nèi)置RAM共同工作。
可選用EEPROM和EPROM存儲(chǔ)器盒。
要將程序?qū)懭隕PROM，請(qǐng)使用標(biāo)準(zhǔn)PROM寫入器。
在EPROM存儲(chǔ)器盒裝入CPU之前，先將EPROM連接至EPROM存儲(chǔ)器盒內(nèi)。
若將EPROM存儲(chǔ)器盒從CPU上拆下，不會(huì)丟失它的數(shù)據(jù)。程序容量：7.2K字。
RS-232端口：無。
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器(DM)：6K字。
處理時(shí)間(基本指令)： 0.3μs 。
I/O點(diǎn)數(shù)：880點(diǎn)。
I/O擴(kuò)展單元的臺(tái)數(shù)：2臺(tái)。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：10臺(tái)(1單元占用單元)。
多點(diǎn)I/O(組2)可裝載臺(tái)數(shù)：5臺(tái)(2單元占用單元)。
總總線I/O的可裝載臺(tái)數(shù)：10臺(tái)(1單元占用單元)C200H-DA004手冊(cè)。
總線I/O的可裝載臺(tái)數(shù)數(shù)：5臺(tái)(2單元占用單元)C200H-DA004手冊(cè)。
推進(jìn)網(wǎng)絡(luò)多路化控制的實(shí)現(xiàn)。
通信協(xié)議宏功能。
用簡(jiǎn)易的通信連接簡(jiǎn)化系統(tǒng)開發(fā)。
走向情報(bào)化、標(biāo)準(zhǔn)化及開放式，始終注視著下一世紀(jì)的生產(chǎn)現(xiàn)場(chǎng)。
提高開發(fā)效率。
加速應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)情報(bào)化。